站内搜索
将它命名为《功率led恒流集成封装》技术，简称《模组封装》；此技术是led封装技术的基础上直接整合低压差线性高精度恒流技术；以后led可以直接标称电压值规格出现，比如：12v/1W
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43
量的技术和品质问题。 二、散热设计 最短的热传到路径，减小热传导阻力； 增大相互传导面积，增加热传到速度； 合理的计算设计散热面积； 有效的利用热容量效应。 输出驱动电压选择： 20
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40
统的照明方案往往是采用专用器件来实现的，难以满足快速发展的需求。 因此，一个优秀的照明平台解决方案无疑需要支持灵活的拓扑结构应用，并满足dali、dmx512、0-10v、无线
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32
例如-coor基團，能產生紫外-可見吸收的官能團，如一個或幾個不飽和基團，或不飽和雜原子基團，c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團（chromophore）; 助色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
发等内容。 主要考核指标为led光源的发光效率≥100lm/W，热阻：≤9℃/W，灯具发光效率≥80lm/W，色温：3000-6000k；显色指数：≥80；电源功率因数≥0.
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261342.html2012/1/8 20:19:46
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
个伏安特性左移，电流io不变，电压变为v2。这两个电压差被温度去除，就可以得到其温度系数，以mv/º；c表示。对于普通硅二极管，这个温度系数大约为-2mv/º；c。但是led大多数不
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261337.html2012/1/8 20:19:24
偿措施，可能是受到成本因素的影响，抑或人们对功率因数补偿不甚了解，节能意识不强。也有加接适当容量的电容器作功率因数补偿的，多用在30W、40W大瓦数日光灯上，20W以下很少用。上世
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261336.html2012/1/8 20:19:23
信输入和输出，交流和直流，单相和多相、正极和负极、电压值和电流值等正确无疑，方可通电运行。 三、对于大功率led开关电源，一般均有三个或三个以上的“+”输入端子和“-”输出端子，实
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261335.html2012/1/8 20:19:17
于led,oled是一种固态半导体设备，其厚度为100-500纳米，比头发丝还要细200倍。oled由两层或三层有机材料构成；依照最新的oled设计，第三层可协助电子从阴极转移到发射
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261334.html2012/1/8 20:19:15
