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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,所i-v特

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,所i-v特

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

led芯片寿命试验

并投入寿命试验,完成连续试验后进行复,以获得寿命试验结果。为了使寿命试验结果客观、准确,除做好试仪的计量外,还规定原则上试验前后所采用的是同一台试仪试,以减少不必要的误差因

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

解析:我国道路照明节电反节能工作

压一稳压一调光技术的控制过程是:通过取城市道路车辆及行人的“时间一车辆”统计规律,获取相应的照度调整率,依此来设计计算机的控制程序,根据照度调整率,从某一时刻开始,平滑地对路灯输

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261876.html2012/1/8 22:43:33

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,所i-v特

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

led芯片寿命试验

并投入寿命试验,完成连续试验后进行复,以获得寿命试验结果。为了使寿命试验结果客观、准确,除做好试仪的计量外,还规定原则上试验前后所采用的是同一台试仪试,以减少不必要的误差因

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03

解析:我国道路照明节电反节能工作

压一稳压一调光技术的控制过程是:通过取城市道路车辆及行人的“时间一车辆”统计规律,获取相应的照度调整率,依此来设计计算机的控制程序,根据照度调整率,从某一时刻开始,平滑地对路灯输

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263069.html2012/1/29 23:32:40

解析:我国道路照明节电反节能工作

压一稳压一调光技术的控制过程是:通过取城市道路车辆及行人的“时间一车辆”统计规律,获取相应的照度调整率,依此来设计计算机的控制程序,根据照度调整率,从某一时刻开始,平滑地对路灯输

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268080.html2012/3/15 21:16:06

解析:我国道路照明节电反节能工作

压一稳压一调光技术的控制过程是:通过取城市道路车辆及行人的“时间一车辆”统计规律,获取相应的照度调整率,依此来设计计算机的控制程序,根据照度调整率,从某一时刻开始,平滑地对路灯输

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271432.html2012/4/10 21:44:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

大,对减小p型欧姆接触电阻有利,但增加了电流运输的距离,可能使体电阻增加,两种效果冲抵使得芯片的i-v特性与尺寸小一些的图1(b)版图芯片相似。图2(a)采用对角电极,所i-v特

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

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