站内搜索
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节led的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(pwm)来设
https://www.alighting.cn/resource/20111010/127028.htm2011/10/10 14:09:19
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
射(xrd)测定了其最佳合成温度和不同温度下所得样品的结构,发现所有样品均具有单斜结构;采用荧光光谱对所得荧光粉发光性能进行了表
https://www.alighting.cn/2011/9/26 14:27:18
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
式led灯泡蓬勃发展下，厂商推出各式led灯泡，同时也提升了整体社会对led的观感与关心程
https://www.alighting.cn/news/2011619/n981232676.htm2011/6/19 23:14:18
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
低，也存在整体散热问题，与单颗1w相比同等光通量下价格优势也不明显。综合考虑，选用大功率1w发光管比较合
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127373.htm2011/7/29 10:26:49
