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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

2048像素led平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且led阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54

2048像素led平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且led阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261503.html2012/1/8 21:46:52

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50

大电流led调光方法的对比分析

义了pwm调光配置所能实现的最大亮度级别。如上所述,led亮度与led正向电流成比例,因此,在使用pwm调光配置时所得到的最高和最低led电流平均值分别由式1和式2表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261501.html2012/1/8 21:46:48

大电流led调光方法的对比分析

围定义了pwm调光配置所能实现的最大亮度级别。如上所述,led亮度与led正向电流成比例,因此,在使用pwm调光配置时所得到的最高和最低led电流平均值分别由式1和式2表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261499.html2012/1/8 21:46:47

大电流led调光方法的对比分析

高和最低led电流平均值分别由式1和式2表示。iled_max=ddim_max×iled (1)式4和式5表达了ddim_max、ddim_min与led驱动器的传

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261500.html2012/1/8 21:46:47

led芯片寿命试验

法,在同一试验成本下,使风险性下降到最低。3.2光电参数测试方法与器件配光曲线在led寿命试验中,先对试验样品进行光电参数测试筛选,淘汰光电参数超规或异常的器件,合格者进行逐一编号

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

浅谈led產生有色光的方法

节,本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)。製造led的材料不同,可以產生具有不同能量的光子,藉此可以控制led所发出光的波长,也就是光谱或顏色。史上第一个led所使用的材料是

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

小型lcd背光的led驱动电路设计考虑因素

池电压降低到最低工作阈值之下。采用软启

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261487.html2012/1/8 21:45:47

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