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1907年henry joseph round第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗,不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应,研究被摒
https://www.alighting.cn/resource/20110304/127919.htm2011/3/4 17:28:10
snec第五届(2011)国际太阳能产业及光伏工程展览会暨论坛第三天,硅材料技术论坛在kerry hotel召开。多晶硅巨头瓦克(wacker)公司副总裁erk thorste
https://www.alighting.cn/news/20110301/109242.htm2011/3/1 9:54:20
电产品发电效率应达到先进水平,其中单晶硅光电产品效率应超过16%,多晶硅光电产品效率应超过14%,非晶硅光电产品效率应超过6%; (三)优先支持太阳能光伏组件应与建筑物实现构件化
http://blog.alighting.cn/jiaxinlamp/archive/2011/2/24/135588.html2011/2/24 14:09:00
卡塞尔大学近日发表新闻公报说,欧洲纳米结构半导体照明研究项目的研究人员正在研发的新工艺使用低成本的硅基板取代蓝宝石基板,再用复杂的纳米工艺让直径约100纳米、高约3000纳米的六
https://www.alighting.cn/news/2011221/n312030361.htm2011/2/21 1:03:57
件的发光效率则已接近 30 lm/w。;能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多,采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来;白光 oled 得到了广泛的重
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00
形,n型欧姆接触区为梳状形,这样可以减小电阻。第四步,将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
力都放在寻找晶格失配较小的衬底上,si衬底的使用并未引起人们太多兴趣,随着许多技术和观念上的突破,si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
级led;恒流;热阻;热沉;硅基板 中图分类号:tn312+.8 文献标识码:a 文章编号:1003-353x(2006)01-0059-03 1 引言 目前,功率级le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
衡方程进行新一轮计算,直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例,对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00