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种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。在紫外光芯片上涂rgb 荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。但目前的紫外光芯片和rgb 荧光粉效率较
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同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及gan/ingan,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者gan用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用ingan产生近紫外
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小,成本低,发光响应快等优点。因此在显示器件和短距离、低速率的光纤通信用光源等方面有广泛的应用,特别是近年来蓝色、紫色及紫外led的迅速发展,使led在照明领域取代白炽灯和荧光灯成
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子与光电研究所蔡政达表示,rgb灯是以三原色共同交集成像,此外,也有蓝光led配合黄色荧光 粉,以及紫外led配合rgb荧光粉,整体来说,这两种都有其成像原理,但是衰减问题与紫外
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及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或
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械加工性能比较差。 另外,sic衬底吸收380 nm以下的紫外光,不适合用来研发380 nm以下的紫外led。由于sic衬底优异的的导电性能和导热性能,不需要象al2o3衬底上功率
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法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn结
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能好、不吸收可见光等,但不足方面也很突出,如价格太高,晶体质量难以达到al2o3和si那么好、机械加工性能比较差,另外,sic衬底吸收380纳米以下的紫外光,不适合用来研发380纳
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为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(al)、钙(ca) 、??(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
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励来产生紫外线而发出高亮光源,因此从点灯开始,达到一定的亮度为时需要一定的启动时间,而使用完毕关灯后的散热,也需要耗费很长时间来达到冷却的状态。因为这样的种种不便,液晶投影机相关业
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