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应加热,以低阻硅作为发热体,用高纯h2作为Mo源的携带气体。用高纯n2作为生长区的调节。用hall测量、双晶衍射以及室温pl光谱作为gan的质量表征。要想生长出完美的gan,存在两
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和Mo gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。 led外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持Mocvd装备、新型衬底、高纯Mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258654.html2011/12/19 11:11:14
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258860.html2011/12/20 15:57:27
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261419.html2012/1/8 21:27:52
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271692.html2012/4/10 23:22:26
