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sed显示技术

题;(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高;(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半;(4)由

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

场上的大多数el显示器均支持3 v和5 v逻辑电平。显示器还采用了特殊的设计,在满足当前各个emi标准要求的前提下,能够将对系统设计的影响降至最低。大多数新型号的el显示器也都符合欧

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体;(2)、非常适合于生长各种异质结构材料;(3)、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡;(4)、生长易于控制;(5)、可以生长纯

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氮化镓衬底及其生产技术

明论坛上报道的硅衬底上蓝光led光输出功率为18 mw。5)zno衬底之所以zno作为gan外延的候选衬底,是因为他们两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常

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gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)

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led外延片(衬底材料)介绍

]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀;• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小;• [5]导电性好,能制成上下结构;• [6]光学性能好,制作的器件所发

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我国半导体照明应用现状

装企业正在积极开展技术研发或引进设备,以提高生产能力和产品品质。特别是近年日本、韩国小尺寸液晶背光厂正在向中国转移。(5)汽车应用国内led汽车灯具市场已超过10亿元。2006年中

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led的封装技术

高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射

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led晶圆技术的未来发展趋势

此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使

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led显示屏的分类

为:室内led显示屏、室外led显示屏、半户外led显示屏。led大屏,led大屏幕。4. 按发光点直径或点间距分为:φ3.0、φ3.7、φ4.8、φ5.0、φ8.0、ph8、ph10

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