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元),较2002年成长17.3% (高亮度led市场成长47%),乘着手机市场继续增长之势,预测2004年仍有14.0%的成长幅度可期。　　在产品发展方面，白光led之研发则成为厂

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

者：“从实现手段上来看，led照明技术囊括了功率器件及其高压制程工艺、功率集成电路设计、热学管理、先进封装及其光电集成技术等多项先进制造技术。”“与发达国家相比，我国在照明led驱

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261560.html2012/1/8 21:50:47

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

元),较2002年成长17.3% (高亮度led市场成长47%),乘着手机市场继续增长之势,预测2004年仍有14.0%的成长幅度可期。　　在产品发展方面，白光led之研发则成为厂

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04

者：“从实现手段上来看，led照明技术囊括了功率器件及其高压制程工艺、功率集成电路设计、热学管理、先进封装及其光电集成技术等多项先进制造技术。”“与发达国家相比，我国在照明led驱

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262734.html2012/1/29 0:41:19

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

效和高显色性的特点，是ｈｉｄ中光电性能最好的光源。　　高压汞灯的光效和显色性最差，美国和欧盟将在２０１３开始淘汰该种类型的灯。　　（2）陶瓷金属卤化物灯是高强度气体放电光源中的“白

http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268481.html2012/3/16 13:43:45

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

元),较2002年成长17.3% (高亮度led市场成长47%),乘着手机市场继续增长之势,预测2004年仍有14.0%的成长幅度可期。　　在产品发展方面，白光led之研发则成为厂

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25