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.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件： ●样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯； ●工作电流为30ma； ●环境条件为室温（25℃±5℃）； ●试验周期为96小时
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41
统的照明方案往往是采用专用器件来实现的，难以满足快速发展的需求。 因此，一个优秀的照明平台解决方案无疑需要支持灵活的拓扑结构应用，并满足Dali、Dmx512、0-10v、无线
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32
会达到1.2v。这是相当可观的数字。反过来也可以利用leD的这种特性来测量其结温，leD射灯例如有一个10串3并的leD组合，在接上恒流电源以后，测得其正向压降从32.3v降低到3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261348.html2012/1/8 20:20:28
加1,600万千瓦，是2007年全年增量的5.8倍。中国国家发改委公布了可再生能源中长期发展规划，提出到2010年，光伏发电累计装机达到30万千瓦，只占前年火力发电的0.05
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261347.html2012/1/8 20:19:59
例如-coor基團，能產生紫外-可見吸收的官能團，如一個或幾個不飽和基團，或不飽和雜原子基團，c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團（chromophore）; 助色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
随着我国经济的持续高速增长，能源消耗不断增加，能源紧张的矛盾日益突出。“研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品”被列入国家中长期科学和技术发展规划（2006-2020）“能源
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261342.html2012/1/8 20:19:46
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
为相应于D的发光时间,则像素点亮/灭的占空比为：D=ton/ts=D= bi2i。该表达式可用可预置减法计数器实现,但每一像素点配一计数器将使得显示电路异常复杂。上式改写
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261339.html2012/1/8 20:19:40
灭了。 那么到底问题出在哪里呢？假如不考虑电源和驱动的故障，leD的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越暗，直到最后熄灭。通常定义衰减30％的时间作为其寿命。 那么le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261337.html2012/1/8 20:19:24
偿措施，可能是受到成本因素的影响，抑或人们对功率因数补偿不甚了解，节能意识不强。也有加接适当容量的电容器作功率因数补偿的，多用在30w、40w大瓦数日光灯上，20w以下很少用。上世
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261336.html2012/1/8 20:19:23
