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热阻rt h 在led点亮后达到热量传导稳态时，芯片表面每耗散1w的功率，芯片pn结点的温度与连接的支架或铝基板的温度之间的温差就称为热阻rth，单位为℃/w。数值越低，表示芯片
http://blog.alighting.cn/zhangangx/archive/2010/7/1/53618.html2010/7/1 8:38:00
括tab、 cob用基板的更大范围。在90年代的后半期所兴起的高密度fpc 开始进入规模化的工业生产。它的电路图形急剧向更加微细程度发展， 高密度fpc的市场需求量也在迅速增
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120404.html2010/12/13 14:40:00
瓷基板。这种陶瓷基板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。 不论氮化铝还是氧化铝，它们都是一种绝缘的陶瓷材料，所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139181.html2011/3/7 15:50:00
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267445.html2012/3/10 10:15:09
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267556.html2012/3/12 19:16:29
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282563.html2012/7/19 10:58:14
生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（SiC）[/url] 蓝宝石衬底 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
