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q1基极/接地之间的电容c1进行指数式充电。一旦电压达到晶体管vbe时,集电极电流流过,强制参考电流斜率根据r1/c1网络达到所需的时间。最后,q1集电极电压受ncp5604提
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时,充电周期持续在最大值tn。当电感电流为零,同步整流管开启时,芯片工作在分立式模式(dcm)下。当负载增加时,由于大负载原因,输出很快降至设定点。如果负载电流增加,芯片工作在连
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激式拓扑。 表1备选的led电源 拓扑 图1显示了三种基本的电源拓扑示例。第一个示意图所显示的降压稳压器适用于输出电压总小于输入电压的情形。在图1中,降压稳压器会通过改
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229885.html2011/7/17 22:55:00
d的电压和电流的匹配。??led的正向伏安特性如图1所示：所以,led伏安特性的数字模型可用下式表示??vf=vturn-on+rsif+(δvf/δt)(t-25℃) (1)??其
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高,发热量有限,热的问题不大,因此其封装方式相对简单。但近年随着led材料技术的不断突破,led的封装技术也随之改变,从早期单芯片的炮弹型封装逐渐发展成扁平化、大面积式的多芯片封装模
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00
部嵌入式的白色发光二极体(led)等点光源镜片,将线光源变成折射性的面光源,从而使得液晶应募整体变成会发光的元件。过去,这项技术是利用透过微镜片和透明树脂材料所组成的射出成型技
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具的配光现状目前led在道路灯具中使用的最普遍形式主要有两类,一类是采用传统的道路灯具外壳,只是在灯具内,在一个几乎是平板的安装面(也是反光面)上,装上了矩阵式的led,这种设计方
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00
等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的??色和亮度。其实,在几微米厚的外延层中,真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米＝1000纳米)厚的量子阱结构。反应
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/ w,新的大功率芯片若采用传统式的led 封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路
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度目前也不足以为大型透射式显示器提供背面光源。led背光源与ccfl背光源在结构上基本是一致的,其中主要的区别在于led是点光源,而ccfl是线光源。从长远的趋势来看,led背光技
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