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inn材料的电学特性

陷,大约是0.5ev,这样一来0.7ev正好对应的是1.25-1.30ev。持低能带隙的认为测得较高带隙的样品是由于掺入杂质、moss-burstein效应,或是其它因素造成的。氧掺杂

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

led背光与无彩色滤光片技术

靠背光模块中,三种原色光源依时序切换,搭配在各色光源显示时间内,同步控制液晶像素穿透率,以调配各原色之相对光量,再由视觉系统对光刺激的残留效应,以形成并察知该颜色。也就是将原本以空间

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

子转移;物体间的接触和分离产生电子转移;电磁感应造成物体表面电荷的不平衡分布;摩擦和电磁感应的综合效应。静电电压是由不同种类的物质相互接触与分离而产生。这种效应即是大家熟知的摩擦起

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led背光与无彩色滤光片技术

靠背光模块中,三种原色光源依时序切换,搭配在各色光源显示时间内,同步控制液晶像素穿透率,以调配各原色之相对光量,再由视觉系统对光刺激的残留效应,以形成并察知该颜色。也就是将原本以空间

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

0原子层任意调整。由于在生长过程中,源气体分子只通过扩散到达衬底表面,并不相对衬底流动。所以克服了传统连续反应器中产生的气体"耗尽效应"。这种反应器的优点是,提高了外延层组分和厚

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

我国半导体照明应用现状

海等地将继续建设一批led景观照明工程,这些工程扩大示范效应将进一步促进其他中小型城市采用led景观照明,从而加快我国led景观照明在不同地区与城市的大面积使用。(2)交通信号灯交

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00

白光led照明驱动选择及其主要电路结构设计

布电容限定值,在变压器的线圈结构中实现,而趋肤效应影响则作为选择导线规格的条件之一。变压器的漏感主要为励磁电感,、原边漏感、副边漏感:,如图3.14 所示。其中励磁电感lm 很大,并

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00

解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

光效能、寿命长久、省电性能佳,甚至具有低污染等优势。由此可见,各种照明设备及显示光源市场需求扩大,形成规模效 应、技术效应等趋势,逐渐形成led厂商趋之若?f情况,以及大力投入高效

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00

白光led驱动ic设计与技术发展

外还包括改变驱动电路技术、强化导光效率、降低热 效应现象等等,也都是辅助降低总耗电量的技术。目前根据应用的不同,led的点灯方式也有所不同,大多的液晶电视多采用直下式的背光,而包

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led照明的电源拓扑结构分析

荐使用需要浮动栅极驱动的n通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。  图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在

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