检索首页
阿拉丁已为您找到约 8304条相关结果 (用时 0.0108359 秒)

led光生辐射安全性及其测量

摘 要 高效大功率led的快速发展,促进led在各个领域的推广应用,尤其是在普通照明的应用。但是,高亮度的led产品,其潜在的光生辐射安全问题越来越引起人们的关注。特别是基于氮

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279349.html2012/6/20 14:32:33

2012全球led照明科技动态回顾

于,与使用在蓝宝石基板上制作的普通蓝色led芯片时相比,具有容易提高光输出功率的特点。  厦大利用超薄铝膜破解深紫外线led难题  厦门大学的一个研究小组通过在高铝组分氮化深紫外

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30

2012全球led照明科技动态回顾

于,与使用在蓝宝石基板上制作的普通蓝色led芯片时相比,具有容易提高光输出功率的特点。  厦大利用超薄铝膜破解深紫外线led难题  厦门大学的一个研究小组通过在高铝组分氮化深紫外

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30

盘点全球最新led照明技术创新

高铝组分氮化深紫外线发光二极管表面覆盖一层超薄的铝膜,破解了制约这一发光器件得以更广泛应用的“光抽取效率”关键难题,为未来此类器件在医疗、环保、军事等领域的产业化应用开启新的方

  http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47

2012高工led大会(四):技术推动led产业新发展

路。氮化荧光粉未来还有很大潜力,但在技术和成本角度还有很大提升空间。杭科光电技术总监高基伟博士杭科光电技术总监高基伟博士表示,随着led应用的发展对封装提出了很多的要求,co

  http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317947.html2013/5/25 12:53:27

东芝普瑞携手:8英寸led芯片实现突破

日宣布,在年初两家公司达成合作协定短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽基氮化镓led芯片。该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达614m

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/7/2/280589.html2012/7/2 11:23:57

led产业突破 “集中安置”培育产业链式集群

用使得行业企业抱团发展,从中受益。  led产业源头突破  今年,留美归国博士、铝镓光电总经理庄德津率领他的团队,在全球范围内首次开发出在线氮化铝缓冲层生长技术,这一技术将减少两道氮

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

首页 上一页 132 133 134 135 136 137 138 139 下一页