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晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产GaN-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
随着照明技术的进步，白炽灯必将成为历史，取而代之的是更节能更环保的节能灯、LED灯具。全球各国政府都先后出台了禁用白炽灯的政策，同时制定积极的政府财政补贴制度，扶持高效照明产
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/24/105719_54.htm2012/2/24 10:57:19
此 避免了GaN和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv LED晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光LED奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
10月1日起，国家已开始禁止进口和销售100瓦及以上普通照明白炽灯。9月下旬至10月中旬短短一个月里，勤上光电、阳光照明、洲明科技、国星光电、实益达、飞乐音响、佛山照明等近十家上市
https://www.alighting.cn/news/2012123/n792546392.htm2012/12/3 9:28:45
https://www.alighting.cn/news/2012123/n112346393.htm2012/12/3 9:33:40
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaN基LED的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色LED。
https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光LED应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光LED在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
https://www.alighting.cn/news/200961/V19863.htm2009/6/1 9:33:11
