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整的产业链。中国led产业在经历了买器件、买芯片、买外延 片之路 后,目前已经实现了自主生产外延片和芯片。在“国家半导体照明示范工程”的推动下,形成了一批国家半导体照明工程产业
http://blog.alighting.cn/szlisten/archive/2013/2/18/309752.html2013/2/18 20:00:27
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
庭照明灯、射灯、水底灯、洗墙灯、路灯、隧道灯、汽车工作灯等。功率led光源是低电压、大电流驱动的器件,其发光的强度由流过led的电流大小决定,电流过强会引起led光的衰减,电流过
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/2/18/309731.html2013/2/18 13:16:05
夏普于2013年2月7日宣布,开发出了亮度非常高的led器件“gw7gal50sgc”,该器件的光通量高达1.4万lm,夏普称这是100w等级的照明用led器件中的“业界最高值”。
https://www.alighting.cn/pingce/20130218/121998.htm2013/2/18 12:00:37
stlux385实现这一目标主要通过集成被称之为smed电路的6颗特殊设计外围器件,这些器件互相配合,也通过可编程开关方式控制照明元件功率来与外围信号配合。
https://www.alighting.cn/pingce/20130217/122000.htm2013/2/17 15:02:44
上首个使用单一荧光粉和单一发光单元的暖白光led灯。有关这种材料详细情况的论文发表在《自然》出版集团最新一期的《光科 学与应用》期刊中。 日本开发出fed技术照明器件 日本东北大
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47
期寿命试验,目前的做法基本上形成如下共识:因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定,所以按美国assist联盟规定,需要电老化1000小时后,测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11