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stlux385实现这一目标主要通过集成被称之为smed电路的6颗特殊设计外围器件，这些器件互相配合，也通过可编程开关方式控制照明元件功率来与外围信号配合。
https://www.alighting.cn/pingce/20130217/122000.htm2013/2/17 15:02:44
上首个使用单一荧光粉和单一发光单元的暖白光led灯。有关这种材料详细情况的论文发表在《自然》出版集团最新一期的《光科 学与应用》期刊中。 日本开发出fed技术照明器件 日本东北大
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47
期寿命试验，目前的做法基本上形成如下共识：因GaN基的led器件开始的输出光功率不稳定，所以按美国assist联盟规定，需要电老化1000小时后，测得的光功率或光通量为初始值。之后
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
一荧光粉和单一发光单元的暖白光led灯。有关这种材料详细情况的论文发表在《自然》出版集团最新一期的《光科学与应用》期刊中。 日本开发出fed技术照明器件 日本东北大学研究生院环
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
