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垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

我国led产业上游环节发展提速

led外延作为led产业链的核心环节,从2009年开始,在中国下游应用市场高速发展的带动下,中国GaN mocvd数量开始爆发性增长,使得中国led外延产业得到快速发展。

  https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44

三安有意参股台厂:大手笔研发不如直接买?

近日,led外延厂三安光电董事长林秀成表示,对投资中国台湾的led厂相当有兴趣,且“很快就会看到成果”,两岸可以携手建立世界级的led厂。

  https://www.alighting.cn/news/2012917/n430343535.htm2012/9/17 9:25:02

迪思科将激光切割技术用于高亮度led晶片

迪思科高科技把在硅晶片单片化及低介电率(low-k)膜开槽工艺中培育起来的激光切割技术经验用到了led上,在高亮度led用晶片的激光切割设备市场上获得了较高的份额。

  https://www.alighting.cn/news/20120601/113445.htm2012/6/1 11:13:18

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

led行业2014年4月投资策略

led行业将逐步出现分化,从过去的 产能比拼转变为技术比拼、成本比拼,行业集中度将提升。因此,未来看 好上游芯片具有技术优势,规模优势,成本优势和外延扩张能力的龙头企 业,下游应

  https://www.alighting.cn/news/20140410/87385.htm2014/4/10 16:36:30

浪潮华光承担的两项省级信息产业发展基金课题顺利通过验收

9月14日上午,由山东浪潮华光光电子股份有限公司承担的2010年山东省信息产业发展重大专项——“半导体照明用高性能led外延片及芯片产业化”和2011年信息化专项——“基于

  https://www.alighting.cn/news/20120918/112826.htm2012/9/18 15:29:59

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