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、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
题，这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的p型ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
高光输出量,所以,有逐渐朝向在晶片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led,osram是
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
.86的黄光 led等。由於氧造?裼昧随?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化??)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
期的技术突破实现了第一个基于GaN的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产GaNled,这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝色led的发明使真
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破GaN材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破GaN材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和GaN 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构：焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位：mi
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
