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知,当正向电压超过某个阈值(约2v),即通常所说的导通电压之后,可近似认为,if与vf成正比.表1是当前主要超高亮led的电气特性.由表1可知,当前超高亮led的最高if可达1A,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230081.html2011/7/18 23:23:00
架做大角度散光型的lAmp。A、2002杯/平头：此种支架一般做对角度、亮度要求不是很高的材料,其pin长比其他支架要短10mm左右。pin间距为2.28mmb、2003杯/平头：一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
墨在高温下的剧烈反应。对于第二个问题,采用常规两步生长法,经过高温处理的蓝宝石材料,在550℃,首先生长250A0左右的gAn缓冲层,而后在1050℃生长完美的gAn单晶材料。对于 s
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
备的无线电骚扰特性的限值和测量方法gb17625.1-2003电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)kevsetpAge=第3页 style="mArgin-top
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230110.html2011/7/18 23:50:00
量及封装缺陷的检测。1理论分析1．1 p-n结的光生伏特效应[m]根据p-n结光生伏特效应,光生电流il表示为：式中,A为p-n结面积,q是电子电量,ln、lp分别为电子和空穴的扩
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
路的电流很小。这使得有可能采用更小且更便宜的偏置电路元件。mcu也需要一个5v电源，但是它可以采用非常便宜的电阻器和齐纳二极管电路，这是因为mcu汲取的电流平均不到500μA。在本
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230152.html2011/7/19 0:12:00
流可以达到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
型led的驱动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
式相对简单，但不适合多位并列显示的情况。ied数码管的段码排列如图1所示。其编码顺序为A b c d e f g dp。本文设计的led显示控制ip核是一个led数码管扫描显示控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230326.html2011/7/20 0:09:00
到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
