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盘点led照明领域五大专家-新世纪led网

件、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究,发表多篇学术论文,获得研究成果,如氮化蓝、绿色led器件制备的关键技术研究,白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/11/8/251040.html2011/11/8 21:13:43

功率led热特性分析

握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的gan 白光led 的结温和热阻进行了测

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

探秘:硅上氮化(gan)led

硅上氮化(gan)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

艾比森将继续专注led室内照明

据苏淑卿介绍,艾比森将继续专注于led室内照明,同时将逐渐专注于一个或有限的利市场,以保证资源能在市场得到完全利用并最终取得最好的表现。

  https://www.alighting.cn/news/2011111/n466835354.htm2011/11/1 11:49:07

揭开led最鲜为人知的秘密

导读:   效率下降是阻碍ganled在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示,通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02

si光发射材料的探索

由于si光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

亿光启动无薪假制度 明年锁定led照明

自台湾led厂商广要求员工从十月起,每月多休五天,没积假可休就改扣薪,部分员工面临无薪假情况后,近日,亿光电子事长叶寅夫也证实亿光将启动无薪假制度,预计自11月开始持续2个月。

  https://www.alighting.cn/news/20111027/n294035270.htm2011/10/27 8:53:28

全球gan高亮度led核心专利分析

调查显示,nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性

  https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29

sizno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

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