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led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
期的led只是采用si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
于可控硅调光。图15可用于高功率ledpar灯的反激式隔离型恒流电源 这个电路图是一个给24瓦par灯用的演示板的电路图。其主要技术指标如下： 这个市电恒流源因为功率大，而且可以适应
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267554.html2012/3/12 19:15:22
为不了解其中的问题，还总要去从调光的电路里去找问题，那是徒劳无益的。 普通的白炽灯和卤素灯通常采用可控硅来调光。因为白炽灯和卤素灯是一个纯电阻器件，它不要求输入电压一定是正弦波，因
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/3/12/267517.html2012/3/12 11:31:28
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
自费到非洲尼日利亚担任国际志工的台湾成功大学学生王景弘，有感于当地宝特瓶泛滥，而且常停电，发明结合宝特瓶的环保led台灯;他正寻求合作对象，想把台灯量产送到尼日利亚。
https://www.alighting.cn/news/2012312/n541838087.htm2012/3/12 9:43:22
现有led 补光系统在环境适宜性监测、光源控制和植物不同阶段需光量差异性考虑不足，造成红蓝光补光不足和补光过度并存。针对以上问题提出了一种设施农业智能补光系统，支持定义植物不同生长
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126685.htm2012/3/10 15:31:41
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267453.html2012/3/10 10:32:20
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
