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底的gan芯片制备；gan、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型gan基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材料；10
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
底的gan芯片制备；gan、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型gan基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
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http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
