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根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
http://blog.alighting.cn/qlfpcbcai/archive/2010/6/10/49344.html2010/6/10 13:55:00
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活性
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
led怕热是业界众所皆知之事，因为热会影响led的光衰及寿命。今天在此介绍一种 led 应用产品之组装新工艺，led导、散热之热通路无胶水化制程，与诸位读者共享!
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127598.htm2011/5/17 18:18:10
为了降低生产成本，国际半导体制造商以及封装测试代工企业纷纷将其封装产能转移至中国，从而直接拉动了中国半导体封装产业规模的迅速扩大。同时，中国芯片制造规模的不断扩大以及巨大且快速成长
https://www.alighting.cn/news/20100121/96252.htm2010/1/21 0:00:00
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
在通用照明市场迅速开启，行业景气回升的情况下，各企业对产业发展的预期也大增，随之而来的是新的一波增资扩产，仅就外延芯片环节2014年以来就已有4起大的扩产事项公布，其幅度之大，
https://www.alighting.cn/news/20140710/87066.htm2014/7/10 9:58:08
在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上，晶能光电(江西)有限公司硅基led研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化镓大功率led的研发
https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59
8月23日，“十城万盏”碉研小组赴深圳展开调研。目前，深圳市有led相关企业近千家，约占全国三分之一，拥有从衬底材料、外延、芯片、封装、应用和配套辅料产品完整的产业链，具备一
https://www.alighting.cn/news/20100901/100707.htm2010/9/1 11:01:52
