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“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232649.html2011/8/17 22:45:00
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00
c)，氮化镓(GaN)，硅(si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(sic)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
