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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

2048像素led平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

体照明将逐步替代传统照明。中国照明网技术论文?led照明据该公司总裁肖志国介绍,如果用作光源,同样的亮度,光电子芯片的耗电量仅为普通白炽灯的 1/12 ,而寿命可以延长 100 倍。

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262684.html2012/1/29 0:37:45

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262682.html2012/1/29 0:37:39

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262681.html2012/1/29 0:37:36

升级利器 氙气前照灯改装探密

国国家标准 gb4599-1994 7.3.1 条款,近光应产生明显的明暗截止线)、无正确的远光功能(带远光功能的改装 hid 产品确实有,但光型并不理想,甚至不符合法规要求)等严

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262680.html2012/1/29 0:37:33

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262677.html2012/1/29 0:37:20

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

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