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蓝宝石光纤端面上zno薄膜的制备及其温变光学特性

其光学吸收边随温度升高而发生红移现象,且禁带宽度和热力学温度之间满足eg(t)=3.40-4.91×10-4t的关系.这为今后进一步利用zno薄膜的禁带宽度检测相应的环境温度,研制

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06

上海奥德堡灯光展示中心体验之旅举行

术信息和设计动态。除此之外,展厅也可作为设计师们的创作和展示场所,通过现场的照明效果和展示灯具,激发他们的设计灵感。旨在帮助设计师们设计出更好的作品,增进互相之间的了解和合

  https://www.alighting.cn/news/2011321/n910630787.htm2011/3/21 16:13:53

flip chip led(倒装芯片)简介

p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk),散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层,又消

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

概述:线性led驱动器方案及其典型应用

性结构,它们必须匹配应用的功率耗散要求。安森美半导体提供电流范围在10 ma到1 a之间的宽广范围线性led驱动器方案,包括新颖的线性恒流稳流器(ccr)方案及其它众多线性驱动器方

  https://www.alighting.cn/resource/20110602/127516.htm2011/6/2 14:09:18

浅析:led芯片分布对散热性能的影响

片芯片表面的温度分布,根据其温度场来分析led芯片分布对其散热的影响。结果是:九颗芯片集中在一起散热效果最差,芯片之间的距离应达到5mm以上,其芯片温度可降低近5℃以

  https://www.alighting.cn/resource/20110419/127727.htm2011/4/19 13:10:08

《2010年中国半导体照明企业品牌发展报告》

体组成的芯片,在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个 p-n 结,当注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能转换为光能。不同材料的芯片可

  https://www.alighting.cn/resource/20110406/127789.htm2011/4/6 16:03:59

迈图:推出解决led照明的新导热有机硅产品

迈图的tia热熔胶、粘合剂及散热膏可在led显示板和散热片之间形成一条散热通道,从而有助于在散热过程中保护led。tia产品均为液态形式,方便将精确数量的材料准确地涂抹于具体位

  https://www.alighting.cn/resource/20101102/128352.htm2010/11/2 0:00:00

大功率发光二极管寿命试验及失效分析

果表明,大功率led 的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机

  https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00

采用光生伏特效应的led芯片在检测方法上的研究(上)

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式led芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测led封装过程中芯片质镀及芯片与支架之间的电气连

  https://www.alighting.cn/resource/20091216/129005.htm2009/12/16 0:00:00

采用光生伏特效应的led芯片在检测方法上的研究(下)

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式led芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测led封装过程中芯片质镀及芯片与支架之间的电气连

  https://www.alighting.cn/resource/20091222/129007.htm2009/12/22 0:00:00

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