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利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时si
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
绍了gan基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
明工程迎宾路路灯照明灯具采购 规模：189基 建设地点：库尔勒市迎宾路 招标方式：公开招标 投标人资质要求：具有独立法人资格并具有相应设备生产资质的供应商或授权经销商 投
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/10/24/248247.html2011/10/24 10:19:28
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246941.html2011/10/20 17:51:08
要蚀刻或移除所有有机物质或其他环氧基物质（如su-8光刻胶），我推荐一个设备，名字叫“r3t高速等离子蚀刻机”，型号stp 2020，stp1010。这是德国r3t的产品，熟悉蚀
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246934.html2011/10/20 17:48:06
于我们专事高热导金属基绝缘电子材料研发，精通半导体导热机理，所以我们可以提供大功率led封装散热技术全面的支持散热是led灯要重点解决的问题，而在这之前是一个导热过程更是一个关
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246933.html2011/10/20 17:48:03
