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全球gan高亮度led核心专利分析

调查显示,nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性

  https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29

sizno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

siceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

si衬底gan蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底ganled外延薄膜转移至金属板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

si衬底ganled理想因子的研究

首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时si

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

白光led应用于室内照明的分析与探讨

绍了gan白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27

新疆库尔勒绿色照明工程迎宾路路灯照明灯具采购

明工程迎宾路路灯照明灯具采购  规模:189  建设地点:库尔勒市迎宾路  招标方式:公开招标  投标人资质要求:具有独立法人资格并具有相应设备生产资质的供应商或授权经销商  投

  http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/10/24/248247.html2011/10/24 10:19:28

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

全球led驱动市场持续扩大 照明领域成重点

现,其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示, 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品,不论在散热与输出功率上均有竞争利,目前也已少量供货,预期可望成

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246941.html2011/10/20 17:51:08

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