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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

湖高教区校园建筑有以下特征：　　行政办公楼(图3)氛围较为庄重、典雅。建筑外面色彩以浅色居多，表面材料多为铝塑板等，在光色的选用上，以尊重建筑的原色为原则，应以暖黄光为主，一方面是建

http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279297.html2012/6/20 13:50:19

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

d芯片以串联方式做在一片基片上，引出“+”“一”两个pad，又叫做高压led芯片。封装厂家拿芯片后，制做成高压led光源。高压led有高光效、电源要求低、线性电源结合省成本、减缓光

http://blog.alighting.cn/207694/archive/2014/5/26/352181.html2014/5/26 14:14:42

氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00