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gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。gang基光电子器件的制备和工艺
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
换灯管，不实惠；3、温度低：持续点亮5小时，温升不超过25°；4、更环保、节能：不要更换灯珠，终身使用；5、省线材：灯具信号线可在15台灯内进行串联。6、无噪音：无风机，LED灯采
http://blog.alighting.cn/224719/archive/2014/11/13/360738.html2014/11/13 18:48:32
仅就LED而言，将投资重点从液晶面板背照灯转向LED照明的动向正在稳步扩大。对高增长率的期待是LED照明受到关注的原因之一。
https://www.alighting.cn/news/20120725/89243.htm2012/7/25 10:10:47
理论上LED 总的电光转换效率约为54% ，这是非常理想的情况下的估计结果,而制造工艺中的任何疏漏、材料上的任何缺陷均将造成其能量转换效率的下降。
https://www.alighting.cn/2012/9/24 14:14:12
如何在未来的几年内扩大设备厂的产能和原材料厂的产能以满足LED照明对LED芯片的需求呢?
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127928.htm2010/7/12 16:13:35
2011 年 3 月 1 日，北京讯 — LED 照明领域的市场领先者 cree 公司 (nasdaq: cree) 宣布推出一款可满足高输出、小型化定向照明应用需求的新型照明
https://www.alighting.cn/pingce/20110301/123334.htm2011/3/1 14:01:06
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光LED外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光LED.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
结构比较简单，bom成本也较低，目前较受市场欢迎。本文将专门介绍无需电解电容的一级架构LED照明驱动电源。
https://www.alighting.cn/resource/20110318/127875.htm2011/3/18 14:01:22
2010年6月9日下午13时45分，以“亚洲LED照明产业竞争力「市场、创新及机遇」为主题的亚洲LED照明高峰论坛开幕式主题大会在广州琶洲展馆8号会议厅隆重举行。在会上，台湾区照
https://www.alighting.cn/news/20110713/109171.htm2011/7/13 16:49:19
