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使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
凌力尔特公司推出的双路理想二极管“或”控制器ltc4355允许在高可用性系统中用n沟道mosfet取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。
https://www.alighting.cn/news/2007419/V2343.htm2007/4/19 9:35:15
led显示屏市场将以10.3%的年平均增长率，从2006年的65亿美元增长到2011年88亿美元，led显示屏基版材料预计将从2006年的11亿美元增长到2011年18亿美元，其
https://www.alighting.cn/news/200783/V2563.htm2007/8/3 10:41:54
基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，它由独特的三层结构所组成，分别是电路层(铜箔)、绝缘层和金属基层。铝基板工作原理：功率器件表面贴装在电路层，器件运行时所产生的热量通过绝
https://www.alighting.cn/resource/20120208/126744.htm2012/2/8 10:53:16
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
本论文的研究和设计工作重点是led照明驱动电源和led照明灯具的配光,主要创新工作如下: 第一,在归纳了一般led照明对驱动电源要求的前提下,以led的电学特性为基 第三,根据城
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127185.htm2011/9/7 10:10:59
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
