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采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(GaN)膜，实现蓝宝石基板的重复利用
https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备GaN基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
采用GaN基蓝色发光芯片为激发源，结合yag荧光粉封装成白光led(w-led)。对w-led的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入的研究，测试了以串联形式集成的w-le
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/142741_10.htm2011/7/21 14:27:41
换器需要电感和肖特基二极管(有些升压转换器内部集成肖特基二极管，但通常会降低效率)。效率：电荷泵的效率竟略占优势图2给出了两种方案的效率，效率是在标准的锂电池以c/5的速率放电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230491.html2011/7/20 23:17:00
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230489.html2011/7/20 23:15:00
法是先将led芯片放置在封装的基片上，用金丝进行键合，然后在芯片周围涂敷yag荧光粉，再用环氧树脂包封。树脂既起保护芯片的作用又起到聚光镜的作用。从led芯片发射出的蓝色光射到周
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
流为200ma的22μh电感的高度为1~2mm，而占位面积为2×2mm~4×4mm。电感的高度越低，其表面积就越大。根据不同的led驱动器类型，可能还需要外部肖特基二极管。假设一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230478.html2011/7/20 23:09:00
