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镓(ga)铟(in)磷(P)氮(n)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271820.html2012/4/10 23:38:15
入P区和n区，当非平衡少数载流子与多数载流子复合时，就会以辐射光子的形式将多余的能量转化为光能。其发光过程包括三个部分：正向偏下的载流子注入、复合辐射和光能传输。在led得两端加
http://blog.alighting.cn/www.nengzhaoled.com/archive/2012/4/16/272203.html2012/4/16 10:21:06
路如图6 所示，ch 375 的d0~ d7 与mcu 的P1总线相连。3. 2 软件设计 mcu 通过读取u 盘中存储的灯光控制文件来实现对led 灯的控制。u 盘中可以存放多
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/16/272247.html2012/4/16 16:58:52
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274699.html2012/5/16 21:27:04
个光源所发出的光通量 φ 与该光源所消耗的电功率 P之比。 b. 灯具效率 灯具效率是指在规定条件下测得的灯具所发射的光通量值与灯具内所有光源发出的光通量测定值之和的比值。 13、
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/5/17/274866.html2012/5/17 16:00:40
. 6812500, 6060861,65276930],tg、lwb和tridonic持有掺eu2+（srbaca）2sio4si:al,b,P,ge的专利[u.s.6809347
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/5/28/276214.html2012/5/28 10:06:27
时的满载峰值电流，从而允许使用更小的变压器磁芯，同时避免启动和输出负载瞬态的磁芯饱和。vr1即瞬电压抑制管，型号是P6ke200， 电容c 11与之并联以降低齐纳箝位的损耗。d1
http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2012/6/2/277528.html2012/6/2 11:06:32
.21.522.5 采用美国g.e.公司泛光照明设计软件进行照度计算，立面平均照度200~250lx。相应数学模型： ① 光束宽度等参数的计算： 详见《照明工程设计手册》
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279118.html2012/6/20 9:52:17
f 后面的数字指触点的直径或其它类似的尺寸；g 后面的数字指两插脚的中心之间的距离； -对于两个以上的插脚，则指各插脚中心所在圆周的直径；P 后面的数字表示用来将灯横向定位的那个部
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279153.html2012/6/20 10:19:44
m陶瓷金卤灯 t5直管荧光灯 低压卤钨灯
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279304.html2012/6/20 13:53:17
