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led芯片的技术发展状况

基超高亮度发二极管的内量子效率比较,但也在35~50%之间,半导体材料本身的电转换效率己远高过其它发源,因此提高芯片的外量子效率是提高发效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

专业场所中的灯设计思路

专业场所中的灯设计思路 一、舞台部分:   在台口前方和舞台的后方使用了par 64(银色铝合金外壳,质地很好)聚灯,台口前方使用宽束的进口源,均匀布,作为面;舞

  http://blog.alighting.cn/114396/archive/2011/12/1/256402.html2011/12/1 20:21:57

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发二极管的内量子效率比较,但也在35~50%之间,半导体材料本身的电转换效率己远高过其它发源,因此提高芯片的外量子效率是提高发效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

解析led谱技术,挑战超高亮度led产品

展趋势与技术,在高亮度led迅速发展与红外线led持续扩大应用,加上一般亮度led可见稳定成长之鹞,从上、 中、下游led发展趋势及表现来看,则呈现出稳定成长走势。不过,目前各

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258485.html2011/12/19 10:55:56

解析led谱技术,挑战超高亮度led产品

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261580.html2012/1/8 21:53:41

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发二极管的内量子效率比较,但也在35~50%之间,半导体材料本身的电转换效率己远高过其它发源,因此提高芯片的外量子效率是提高发效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

解析led谱技术,挑战超高亮度led产品

展趋势与技术,在高亮度led迅速发展与红外线led持续扩大应用,加上一般亮度led可见稳定成长之鹞,从上、 中、下游led发展趋势及表现来看,则呈现出稳定成长走势。不过,目前各

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262754.html2012/1/29 0:43:03

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发二极管的内量子效率比较,但也在35~50%之间,半导体材料本身的电转换效率己远高过其它发源,因此提高芯片的外量子效率是提高发效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发二极管的内量子效率比较,但也在35~50%之间,半导体材料本身的电转换效率己远高过其它发源,因此提高芯片的外量子效率是提高发效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

解析led谱技术,挑战超高亮度led产品

展趋势与技术,在高亮度led迅速发展与红外线led持续扩大应用,加上一般亮度led可见稳定成长之鹞,从上、 中、下游led发展趋势及表现来看,则呈现出稳定成长走势。不过,目前各

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268374.html2012/3/15 21:58:10

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