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n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
利用ansys软件对大功率led进行三维有限元热分析，并绘制了其受不同因素影响时器件的温度云图，通过比较各种因素对散热性能的影响，得出结论：在经过必要的选材优化后，对于材料热导
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127360.htm2011/8/1 10:52:34
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
及封装环节。其中的心设备有蓝宝石单晶炉、mocvd(金属有机化合物化学气相沉积设备)等。键的原材料包括高纯氧化铝粉料、金属有机化合物材料、蓝宝石衬底
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“sic单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
高主动矩阵型有机el面板的亮度需要加大发光材料中通过的电流。为此，需要采用提高tft所用半导体层的结晶性以及tft载流子迁移率的技术。此前，使用低温多晶硅的情况较多，而使用单晶硅尚
https://www.alighting.cn/resource/20070529/128502.htm2007/5/29 0:00:00
2007年11月5日，基于自有的pin oled(r)技术和材料， novaled的照明用白光oled性能又获重大提高：在亮度为1000cd/m2下效率达到35lm/w、寿命达
https://www.alighting.cn/resource/20071105/128558.htm2007/11/5 0:00:00
2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（dccss）业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发sic材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00
