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氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破

近日,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮

  https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48

走近led光源:客观分析优缺点

有不少朋友将使用光成像的打印机称为激光打印机,其实这种称呼并不准确,因为在光成像打印机中,除了有使用激光作为成像光源的激光打印机外,还有使用led作为光源的led打印机。

  https://www.alighting.cn/news/2007720/V8165.htm2007/7/20 16:07:35

欧司朗半导体推出高功率激光产品

欧司朗公司向客户提供结构清晰的产品线组合,侧重于标准封装产品。

  https://www.alighting.cn/news/200775/V5859.htm2007/7/5 11:16:29

欧司朗光电半导体推出高功率激光产品

除全球体积最小的首个表面贴装连续波(cw)模式高功率激光器外,欧司朗光电半导体公司(osramoptosemicondu

  https://www.alighting.cn/news/2007620/V8025.htm2007/6/20 10:44:22

冯德仲

v《激光歌会》、《劳动者之歌》等演出获得了各级政府部门的奖励。自1990年以来,为促进中日友好文化交流发展、演出和新技术交流做出了积极的贡献。 2000年以来还设计了《文那,从树

  http://blog.alighting.cn/1301/2007/6/2 17:13:13

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

激光诱导下gan的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对gan进行p型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入gan中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

激光诱导下gan的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对gan进行p型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入gan中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

杨正名

杨正名.1933年3月出生于江苏省 1956年南京工学院(现东南大学)电子工程系毕业,讲授过阴极电子学、气体放电、激光原理、光电子探测技术、等离子体、电光源等11门课程,有译著

  http://blog.alighting.cn/1151/2007/5/21 16:51:03

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