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结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274786.html2012/5/16 21:31:38
近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重视，已制成的白光器
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274775.html2012/5/16 21:31:05
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，camd发展出一种硅载体（silicon carrier）或次黏着基台（submount），以做为ingan芯片与导线框之间的内部固着介质；
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19
