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科锐led产品高价格成其发展障碍

科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用sic(碳化硅)衬底生长GaN(氮化镓)技术,科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行

  https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00

中村修二:inGaN是奇迹般材料 日媒诺奖报道有失偏颇

二,在2015年7月24日于东京举行的研讨会“GaN掀起能源革命”上发表演讲,说出了上面那句

  https://www.alighting.cn/news/20150729/131339.htm2015/7/29 9:31:37

晶电转攻氮化镓功率元件及特殊照明市场

历经过去几年惨烈价格战,led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示,晶电选择切入利基市场,聚焦氮化镓功率元件(ga

  https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56

硅衬底led缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,硅衬底led技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

南昌市每年安排5000万扶持led企业重要技术开发

今年,南昌大学江风益教授所率团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目一举拿下国家技术发明一等奖,整个led产业为之振奋,打造“南昌光谷”,力争到2020年实现产业规

  https://www.alighting.cn/news/20161017/145190.htm2016/10/17 9:40:13

2016国家科学技术奖揭晓,这项led技术获二等奖

值得一提的是,继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得2015年国家技术发明一等奖后,半导体照明行业在2016年度科技奖励大会上再次斩获奖项,“多界面光-热耦合白光led封

  https://www.alighting.cn/news/20170110/147436.htm2017/1/10 9:38:55

sslchina2017&ifws2017即将开幕 七大开幕报告重磅来袭

半导体照明是一场成功的技术革命,是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口,已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求,全球半导体照明产业进入新一

  https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13

pida:台湾地区led元件或转向车用、mini led等利基产品

GaN hemt等光电半导体产

  https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59

韩国kaist研发用于f-vled的低成本转移方法

队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方

  https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48

首届紫外led长治国际会议暨长治led产业发展峰会成功召开

以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能,是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联

  https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40

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