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l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
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d开路的情况下芯片依然不被损坏，当故障状态解除后，芯片又可以正常工作。并联驱动电路虽然串联驱动电路具备了效率高的优点，但是整体的解决方案需要一个电感和一个肖特基二极管，这又额外增
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230351.html2011/7/20 0:23:00
于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
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1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震、高
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
源元件，从而节约了成本。linear公司推出片上集成肖特基二极管的白色led驱动器，这样，驱动电路只需两个外部电容器、一个电阻器和一个电感器。而一般白色led驱动器是集成mosfe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很多研究人
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
至3倍该频率下工作，但转换效率会降低。在toff期间，储存在电感中的能量将被转移到led，只在肖特基二极管上有一些损耗。储存在电感中的能量为：eq1系统可以以连续或非连续模式工
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厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外，还应尽量考虑降低产品制造成本。为此，我们将厚膜电
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出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是在inga
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