站内搜索
年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
2年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24
界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专
http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
备中的指示灯。直到20世纪90年代中期，在取得了第三代半导体材料GaN的技术突破以及蓝、绿、白光发光二极管问世后，led已能发出各种颜色的光束，尤其是高亮度白光led的出现具有划时
http://blog.alighting.cn/xiongzhiqiang/archive/2012/3/16/268406.html2012/3/16 9:49:29
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
