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美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(GaN)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
英国威格斯公司(victrexplc)推出的victrexpeek正被广泛认同为晶圆传输与储存应用的首选材料，尤其是前开式晶圆盒(foup)与晶圆转运箱。victrexpeek聚
https://www.alighting.cn/news/2007528/V2459.htm2007/5/28 15:43:27
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
