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pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
日本东北大学研究生院环境科学研究科与同和控股公司(dowa holdings)于2013年1月9日宣布，双方共同开发出了使用碳纳米管(cnt)的冷阴极场致电子发射型面发光器件。将
https://www.alighting.cn/news/2013116/n327648198.htm2013/1/16 14:13:30
型面发光器件。将以前主要面向显示器用途开发的fed（field emission display，场致发射显示器）技术转用到了照明用途中。日本东北大学与同和将在照明展会
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/1/16/307884.html2013/1/16 13:23:41
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(GaN)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
装器件、产品应用、测试设备等产业链各个环节。在193项标准项目中，包括已发布实施的标准54项(国家标准41项、行业标准13项)，其中通用标准2项，材料和设备标准13项、芯片和器件标
http://blog.alighting.cn/160574/archive/2013/1/16/307851.html2013/1/16 10:21:53
https://www.alighting.cn/news/2013116/n667748163.htm2013/1/16 9:19:37
场。目前全彩显示屏的成本下降，led器件材料性能不断的提高，应用不断的增加。并且全彩屏设计方位合理也是城市的一大亮点，不仅达到广告宣传的效果，还有添加了城市的生活气息。 我司一
http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/14/307700.html2013/1/14 17:51:22
具，除了用于发光而消耗的能量外，其产生的大量散热也会需要冰箱系统来冷却，这会造成电量的浪费。而led灯具及其他一些半导体器件都够有较高的发光效率，并且可长时间在较低温度下工作。 爱
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/1/14/307626.html2013/1/14 11:37:24
