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西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管，相关研究成果在国际权威期刊《advanced optical mat
https://www.alighting.cn/news/20191202/165428.htm2019/12/2 10:56:00
https://www.alighting.cn/news/20191204/165453.htm2019/12/4 9:23:46
2019年11月，国际第三代半导体产业链上、中游各大企业继续发力，上游龙头企业扩产进程加速，大力发展与应用端的合作, 共同推动第三代半导体尤其是新能源汽车领域的发展，同时传统的半导
https://www.alighting.cn/news/20191209/165518.htm2019/12/9 11:13:56
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的lpe(液相
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44
近几年，随着技术的突破，应用的拓展，过去曾不受人们关注的发光二极管(led)一下子成为世界各国竞相开发的高新技术，同时，我国也把led技术列为“十一五”重大科技攻关领域之一
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7924.htm2007/2/10 12:01:37
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
只有想不到的，没有做不到的，led领域最近都有哪些新技术值得关注?
https://www.alighting.cn/news/20190926/164256.htm2019/9/26 10:06:59
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
