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路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24
n(氮化铟镓)基片上研制出了第一只蓝色led，由此开启了GaN基led灯研究和开发热潮，蓝光的出现使得白光led成为可能。 20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发yag荧光粉产生白
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政府措施纷纷出台。欧盟、加拿大、澳大利亚和美国等分别将从2009、2010和202
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
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