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华灿光电成功研制新型蓝绿光led芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术,通过优化结构设计,优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺,开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外

  https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23

非极性GaN led性能获重要突破

5月1日,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)非极性GaN材料研究小组(由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导)制造的蓝紫光inGaN le

  https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40

研究团队开发出效率大幅提昇的非极性GaN led

a barbara;ucsb)非极性GaN材料研究团队,日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..

  https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00

非极性GaN led性能获重要突破

2007年5月1日,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)非极性GaN材料研究小组(由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导)制造的蓝紫

  https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00

日立电线生产出3英寸GaN衬底 商业化推广尚待研究

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底,对于led产业将有正面助益。

  https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

三星电机再订aixtron 两台mocvd系统

2007年4月11日,aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led,两台工具

  https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00

bluglass新GaN制备工艺实现成本节约

bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进

  https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00

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