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目 measurement： ac u(300v)，i(20a)，P(u×i×Pf)，f(45hz-65hz) 参数设置 Parameter setting：i、P上下限，bP
http://blog.alighting.cn/wuzuli888/archive/2009/4/26/3137.html2009/4/26 23:44:00
i(20a)，P(u×i×Pf)，f(45hz-65hz) 参数设置 Parameter setting：i、P上下限，bPs，addr 报警功能 alarming：越限声光报
http://blog.alighting.cn/zsguihe/archive/2009/5/23/3571.html2009/5/23 20:34:00
led是英文light emitting diode的缩写，即：光线激发二极管，属于一种半导体元器件。发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n
http://blog.alighting.cn/xvyonggang/archive/2008/9/24/9099.html2008/9/24 2:02:00
、3月以mesotest11b测试暗环境下对比敏感度。结果术前、术后1月及3月，高度近视组对比敏感度均低于低中度近视组(P0.05)，术后差异性更明显。术后1月、3月时二组患者对
https://www.alighting.cn/resource/20091229/V1048.htm2009/12/29 15:44:38
各38例，均行标准lasik术。在术前与术后1月、3月以mesotest 11 b测试暗环境下对比敏感度。结果术前、术后1月及3月，高度近视组对比敏感度均低于低中度近视组(P0.0
http://blog.alighting.cn/1023/archive/2009/12/30/22868.html2009/12/30 8:24:00
年。 发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶片，在 P 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 P-n 结。在某些半导体材料的 Pn 结中，注入的少
http://blog.alighting.cn/shijing/archive/2010/3/24/38635.html2010/3/24 15:48:00
用二极管产生于 1960 年。 发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶片，在 P 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 P-n 结。在某些半导体材
http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43958.html2010/5/12 17:31:00
http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43959.html2010/5/12 17:31:00
http://blog.alighting.cn/sanjs_led/archive/2010/5/12/43960.html2010/5/12 17:32:00
至1995年，第一名的美国和第二名的日本之间的P差距是多少？ 日本P超过美国P的一半！这也是目前为止唯一一次其它国家和美国的经济差距缩小到一半的程度。 日本人在欢呼：只要超
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/9/12/96389.html2010/9/12 11:16:00
