三安光电，Mini LED，Micro LED，LED芯片-阿拉丁站内搜索引擎

LED业内工程师总结了LED板上芯片(chip on board,cob)封装流程，现在分享给大家。　　首先是正在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309122.html2013/1/31 10:26:53

涨。与此同时，上市公司投资LED热情依然不减。近期已有天通股份（600330）、三佳科技（600520）等多家公司投资LED行业，以培育新的利润增长点，寻求业绩突围。　　“近期芯

http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/28/231232.html2011/7/28 22:09:00

武汉绿色光电股份有限公司专业生产封装LED发光管，LED日光灯等系列室内照明产品！

http://blog.alighting.cn/tangcong/archive/2010/7/6/54232.html2010/7/6 10:23:00

8）和大功率LED（1w-3w）。该类LED采用cree芯片，采用专利荧光粉。产品可销往日本，北美和欧洲市场。产品参数：常规3528单芯白光（6-7lm，10*23芯片）。505

http://blog.alighting.cn/SUNLIGHTLCP/archive/2010/8/4/65941.html2010/8/4 9:23:00

5，3228）和大功率LED（1w-3w）。该类LED采用cree芯片，采用专利荧光粉。产品可销往日本，北美和欧洲市场。产品参数：常规3528单芯白光（6-7lm，10*23芯

http://blog.alighting.cn/SUNLIGHTLCP/archive/2011/4/12/165026.html2011/4/12 13:09:00

5，3228）和大功率LED（1w-3w）。该类LED采用cree芯片，采用专利荧光粉。产品可销往日本，北美和欧洲市场。产品参数：常规3528单芯白光（6-7lm，10*23芯

http://blog.alighting.cn/SUNLIGHTLCP/archive/2011/4/12/165032.html2011/4/12 13:20:00

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35