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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
本文为天津工业大学半导体照明工程研发中心田会娟女士关于《半导体照明应用系统集成技术开发及转化》的精彩演讲讲义,经过田会娟女士授权特此发布于新世纪led网络平台,提供给大家下载共
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126983.htm2011/10/21 10:21:39
本技术要求适用于新建、改建和扩建的机场、铁路、城市轨道交通采用半导体照明产品时的照明设计。
https://www.alighting.cn/resource/20130109/126188.htm2013/1/9 13:26:10
本文中描述的ac led照明系统是:采用首尔半导体有限公司(seoul semiconductor)acriche产品之一,它可提供高的整体系统可靠性;但是正如在任何led照
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126858.htm2011/11/23 16:46:23
凭借着高效、节能、环保的优势半导体照明必然将成为未来我国发展的重点产业。虽然我国近几年半导体照明产业取得了跨越式的发展,但始终伴随着诸多的挑战和风险,其中知识产权问题是阻碍国内产
https://www.alighting.cn/resource/20110629/127485.htm2011/6/29 16:49:30
半导体元件内部的温度。在led中是指芯片内发光层(pn结间设置多重量子阱构造的位置)的温度。led芯片的发光层在点亮时温度会上升。一般情况下,接合温度越高,发光效率就越低。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128313.htm2010/8/17 16:54:18
以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
日本推动奈米半导体生产优势「新五年计划」
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12319.htm2007/2/8 10:50:05
最新半导体照明产业新技术与常见疑难问题解析及投资战略指导手册
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12474.htm2007/2/8 16:38:30
主要内容:半导体照明市场特点、led应用案例、传统照明与led照明的区别、半导体照明市场的对策等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/31/174935_29.htm2011/12/31 17:49:35