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gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

广东省战略性新兴产业——led产业外延和芯片领域核心专利分析及预警报告

本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍,按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类,并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专

  https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39

led外延片成长工艺的解决方案

早期在小积体电路时代,每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39

st甘化拟8.35亿建led外延片生产项目

st甘化12月13日晚间公告称,经2011年10月31日召开的st甘化2011年第三次临时股东大会审议,批准了公司由全资子公司广东德力光电有限公司在江门国家高新技术产业开发区投资

  https://www.alighting.cn/news/20111214/114073.htm2011/12/14 10:28:54

两岸首家合资led外延厂成立,华上持股40%

大陆山西省长治市政府看好华上光电技术,决定出资与华上在长治市成立一家led厂,以共同开发大陆的led照明市场。昨(8)日,华上董事会通过与山西省长治市签订共同合作契约,双方合作投

  https://www.alighting.cn/news/20091209/119626.htm2009/12/9 0:00:00

生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

彪骏光电成功开发ip67模块化led植物生长

彪骏光电led植物生长灯是利用led可控光波长特性,截取特定波长针对特定疏果、花卉、植物等特性需求进行客制化。bcb88系列更可以选择使用e27、e40灯头直接按装于温室大棚、或

  https://www.alighting.cn/pingce/20120903/122168.htm2012/9/3 9:45:48

日本锅清:粉红色led照明最有利于植物生长

d以及以对半组合红色和蓝色led后形成粉红色led照明对大小相同的幼苗持续3周照射后,比较了每株幼苗的成长状况。结果显示,粉红色led照明最有助于促进植物生

  https://www.alighting.cn/resource/20090422/128684.htm2009/4/22 0:00:00

中科院led植物生长灯保定生产基地挂牌

中科院led植物生长灯保定生产基地近日在大正公司挂牌。该生产基地的确立,有助于我市产学研的培育,为保定新能源产业的发展注入了新活力,有助于把这项科研成果尽快转化为生产力,使le

  https://www.alighting.cn/news/20110420/100991.htm2011/4/20 15:00:06

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