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、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(llo)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等，最后谈论了led芯片技
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
对led照明来说，前三步的外延片、切割和芯片是上游，第四步的封装是中游，第五步的应用则是下游。这些问题需要我们用更多的能量来突破。
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/20/18302_69.htm2012/11/20 18:30:02
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
c 外延片和蓝宝石晶片上都取得突
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
