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长治引进15台高亮度LED外延片及芯片制造设备

长治高科华上光电有限公司mocvd采购合同签约仪式在长治举行。与德国爱士强、美国维易科公司签订的这项涉及15台mocvd设备的合作协议,不仅让当地得到了世界最先进的高亮度LED

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127993.htm2010/7/12 16:48:15

分布式大功率LED路灯散热器的结构设计

文章以200 w LED路灯为模型,提出了一种新型的翅片散热器,应用ansys并结合正交设计法对散热器进行了温度场的模拟.通过分析翅片厚度、翅片间距、翅片外轮廓半径、基板厚度等结

  https://www.alighting.cn/2012/3/12 12:11:53

LED芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

蓝光LED 芯片透明导电薄膜ito退火工艺的研究

通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光LED 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16

晶元芯片:ingan venus blue LED chip es-cablv45c【pdf】

晶元芯片:ingan venus blue LED chip es-cablv45c的详细资料,提供pdf全文下载,推荐下载;

  https://www.alighting.cn/resource/20110330/127805.htm2011/3/30 13:38:21

gan基功率型LED芯片散热性能的测试与分析

与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

LED芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进

  https://www.alighting.cn/resource/20120310/126683.htm2012/3/10 19:11:29

LED外延片及芯片产品的质量控制

半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游LED外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各LED外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。

  https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44

2010年国际LED芯片厂商市场研究分析

目前国际LED 芯片厂商有:科锐[cree]、首尔半导体[ssc]、日亚[nichia]、osram、普瑞[bridgelux]、lumiLEDs、旭明[smiLEDs]、丰田合

  https://www.alighting.cn/resource/20110505/127658.htm2011/5/5 17:36:59

高新材料在大功率LED集成芯片封装中的应用

香港科技大学;广州市香港科大霍英东研究院工程材料与可靠性研究中心(cemar)的吴景琛先生关于《高新材料在大功率LED集成芯片封装中的应用》精彩演讲ppt分享。

  https://www.alighting.cn/resource/20110711/127440.htm2011/7/11 14:58:09

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